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产品概览
Digi-Key 零件编号 NTD3055L104-1GOS-ND
现有数量 3,811
可立即发货
制造商

制造商零件编号

NTD3055L104-1G

描述 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
扩展描述 N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-Pak
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 20 周
文档与媒体
数据列表 NTD3055L104
PCN 设计/规格 Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
PCN 组件/产地 TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V
Vgs(最大值) ±15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta),48W(Tj)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 104 毫欧 @ 6A,5V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-Pak
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
 
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其它资源
标准包装 ? 75
其它名称 NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G

16:08:54 1/24/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.99000 0.99
10 0.84800 8.48
100 0.63330 63.33
500 0.49764 248.82
1,000 0.38454 384.54

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