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产品概览
Digi-Key 零件编号 NTB25P06T4GOSCT-ND
现有数量 6
可立即发货
制造商

制造商零件编号

NTB25P06T4G

描述 MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
扩展描述 P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 28 周
文档与媒体
数据列表 NTB25P06
PCN 设计/规格 Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
PCN 组件/产地 TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V
Vgs(最大值) ±15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 120W(Tj)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 82 毫欧 @ 25A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 NTB25P06T4GOSCT

08:41:17 2/21/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.53000 2.53
10 2.27100 22.71
100 1.82560 182.56

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : NTB25P06T4GOSTR-ND
  • 最低订购数量: 800
  • 现有数量: 0
  • 单价: 1.45620
  • Digi-Reel® ? : NTB25P06T4GOSDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 6 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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