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Digi-Key 零件编号 2N7002ET1GOSCT-ND
现有数量 74,436
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制造商

制造商零件编号

2N7002ET1G

描述 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
扩展描述 N-Channel 60V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.81nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 26.7pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300mW(Tj)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.5 欧姆 @ 240mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
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标准包装 ? 1
其它名称 2N7002ET1GOSCT

06:14:01 2/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.22000 0.22
10 0.20300 2.03
100 0.11030 11.03
500 0.06790 33.95
1,000 0.04629 46.29

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : 2N7002ET1GOSTR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 72,000 - 立即发货
  • 单价: 0.03819
  • Digi-Reel® ? : 2N7002ET1GOSDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 74,436 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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