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产品概览
Digi-Key 零件编号 APTM10UM01FAG-ND
现有数量 50
可立即发货
制造商

制造商零件编号

APTM10UM01FAG

描述 MOSFET N-CH 100V 860A SP6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 22 周
文档与媒体
数据列表 APTM10UM01FAG
Power Products Catalog
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Microsemi Corporation

系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 860A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.6 毫欧 @ 275A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 12mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 60000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP6
供应商器件封装 SP6
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND

07:07:35 12/10/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 334.51000 334.51
10 318.36600 3,183.66
25 306.83000 7,670.75

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