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Digi-Key 零件编号 APTM10UM01FAG-ND
现有数量 50
可立即发货
制造商

制造商零件编号

APTM10UM01FAG

描述 MOSFET N-CH 100V 860A SP6
扩展描述 N-Channel 100V 860A 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 22 周
文档与媒体
数据列表 APTM10UM01FAG
Power Products Catalog
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Microsemi Corporation

系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 860A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 12mA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2100nC @ 10V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 60000pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2500W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.6 毫欧 @ 275A,10V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SP6
封装/外壳 SP6
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND

02:43:05 1/21/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 298.26000 298.26
10 283.85600 2,838.56
25 273.57160 6,839.29

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