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产品概览
Digi-Key 零件编号 APT25GP120BDQ1G-ND
现有数量 509
可立即发货
制造商

制造商零件编号

APT25GP120BDQ1G

描述 IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 22 周
文档与媒体
数据列表 APT25GP120BDQ1(G)
Power Products Catalog
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

制造商

Microsemi Corporation

系列 POWER MOS 7®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 69A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 90A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 3.9V @ 15V,25A
功率 - 最大值 417W
开关能量 500µJ(开),440µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 110nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/70ns
测试条件 600V,25A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 [B]
 
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标准包装 ? 1
其它名称 APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND

15:55:59 12/6/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 20.31000 20.31
10 18.46100 184.61
50 17.07640 853.82
100 15.69190 1,569.19
250 14.30732 3,576.83
500 13.38424 6,692.12
1,000 12.27659 12,276.59
2,500 11.81507 29,537.67
5,000 11.44585 57,229.23

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