添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 APT106N60B2C6-ND
现有数量 275
可立即发货
制造商

制造商零件编号

APT106N60B2C6

描述 MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
扩展描述 N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 22 周
文档与媒体
数据列表 APT106N60B2C6
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Microsemi Corporation

系列 CoolMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 106A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 3.4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 308nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8390pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 833W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 53A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 T-MAX™ [B2]
封装/外壳 TO-247-3 变式
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1

23:32:32 2/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 27.43000 27.43
10 24.94300 249.43
25 23.07200 576.80
100 21.20170 2,120.17
250 19.33084 4,832.71
500 18.08372 9,041.86

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见