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产品概览
Digi-Key 零件编号 TN0106N3-G-ND
现有数量 1,233
可立即发货
制造商

制造商零件编号

TN0106N3-G

描述 MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
扩展描述 N-Channel 60V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Microchip Technology

系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
 
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标准包装 ? 1,000

11:39:22 3/28/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.18000 1.18
25 0.99080 24.77
100 0.89460 89.46

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : TN0106N3-G-P003-ND
  • 最低订购数量: 2,000  非库存货 ?
  • 现有数量: 0
  • 单价: 0.99047
  • 带盒(TB) ? : TN0106N3-G-P013-ND
  • 最低订购数量: 2,000  非库存货 ?
  • 现有数量: 0
  • 单价: 0.99047
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