添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 2N7008-G-ND
现有数量 1,117
可立即发货
制造商

制造商零件编号

2N7008-G

描述 MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
扩展描述 N-Channel 60V 230mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 19 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Microchip Technology

系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 230mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1,000

18:35:43 3/29/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.81000 0.81
25 0.67120 16.78
100 0.60710 60.71

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见