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产品概览
Digi-Key 零件编号 VMO580-02F-ND
现有数量 63
可立即发货
制造商

制造商零件编号

VMO580-02F

描述 MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
文档与媒体
数据列表 VMO580-02F
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 580A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 430A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2750nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
功率 - 最大值 -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 Y3-Li
供应商器件封装 Y3-Li
 
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其它资源
标准包装 ? 2
其它名称 Q1221985A
VMO58002F

16:08:29 12/6/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 209.35000 209.35
10 195.67500 1,956.75
25 188.83280 4,720.82

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