添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 VMO580-02F-ND
现有数量 58
可立即发货
制造商

制造商零件编号

VMO580-02F

描述 MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
扩展描述 N-Channel 200V 580A Chassis Mount Y3-Li
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
文档与媒体
数据列表 VMO580-02F
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 580A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2750nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 430A,10V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 Y3-Li
封装/外壳 Y3-Li
 
您可能还对以下元器件感兴趣
  • IXTN660N04T4 - IXYS | IXTN660N04T4-ND DigiKey Electronics
  • IXTN660N04T4
  • IXYS
  • 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
  • 单价 31.53000
  • IXTN660N04T4-ND
其它资源
标准包装 ? 2
其它名称 Q1221985A
VMO58002F

06:20:32 3/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 216.75000 216.75
10 202.58400 2,025.84
25 195.50120 4,887.53

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见