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产品概览
Digi-Key 零件编号 VMO1200-01F-ND
现有数量 54
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制造商

制造商零件编号

VMO1200-01F

描述 MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
扩展描述 N-Channel 100V 1245A Chassis Mount Y3-Li
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
文档与媒体
数据列表 VMO1200-01F
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类别
制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 托盘 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1245A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 64mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2520nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.35 毫欧 @ 932A,10V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 Y3-Li
封装/外壳 Y3-Li
 
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其它资源
标准包装 ? 2

21:52:44 2/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 235.73000 235.73
10 220.32900 2,203.29
25 212.62440 5,315.61

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