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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXTY12N06TTRLCT-ND
现有数量 4,227
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制造商

制造商零件编号

IXTY12N06TTRL

描述 MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
扩展描述 N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
文档与媒体
数据列表 IXTx12N06T Preliminary
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 TrenchMV™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 256pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 33W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 6A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
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标准包装 ? 1
其它名称 IXTY12N06TTRLCT

04:50:52 3/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.23000 2.23
10 1.97600 19.76
25 1.78480 44.62
100 1.56170 156.17
250 1.37048 342.62
500 1.21108 605.54
1,000 0.95613 956.13

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : IXTY12N06TTRLTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 0
  • 单价: 0.86639
  • Digi-Reel® ? : IXTY12N06TTRLDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 4,227 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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