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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXTY08N100D2-ND
现有数量 1,202
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXTY08N100D2

描述 MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
文档与媒体
数据列表 IXT(Y,A,P)08N100D2
特色产品 Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

IXYS

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 800mA(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 21 欧姆 @ 400mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 14.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 325pF @ 25V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) *
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
 
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其它资源
标准包装 ? 70

00:46:08 12/11/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 3.90000 3.90
10 3.52400 35.24
25 3.14600 78.65
100 2.83140 283.14
250 2.51680 629.20
500 2.20220 1,101.10
1,000 1.82468 1,824.68
2,500 1.69884 4,247.10
5,000 1.63592 8,179.60

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