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Digi-Key 零件编号 IXTY08N100D2-ND
现有数量 2,139
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXTY08N100D2

描述 MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
扩展描述 N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
文档与媒体
数据列表 IXT(Y,A,P)08N100D2
特色产品 Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 800mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 325pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 21 欧姆 @ 400mA,0V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
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其它资源
标准包装 ? 70

08:30:00 2/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 3.90000 3.90
10 3.52400 35.24
25 3.14600 78.65
100 2.83140 283.14
250 2.51680 629.20
500 2.20220 1,101.10
1,000 1.82468 1,824.68
2,500 1.69884 4,247.10
5,000 1.63592 8,179.60

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