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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXTY01N100-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

IXTY01N100

描述 MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
扩展描述 N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXT(U,Y)01N100
产品属性 选取全部项目
Categories
制造商

IXYS

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 54pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 25W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 80 欧姆 @ 100mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
 
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其它资源
标准包装 ? 70
其它名称 490458
IXTY01N100CT
IXTY01N100CT-ND

01:14:19 1/19/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 3.02000 3.02
10 2.73100 27.31
25 2.43800 60.95
100 2.19430 219.43
250 1.95052 487.63
500 1.70670 853.35
1,000 1.41413 1,414.13
2,500 1.31660 3,291.50
5,000 1.26784 6,339.19

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