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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXTT2N170D2-ND
现有数量 165
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXTT2N170D2

描述 MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
扩展描述 N-Channel 1700V (1.7kV) 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 14 周
文档与媒体
数据列表 IXT(T,H)2N170D2
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 1700V(1.7kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 5V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 3650pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 568W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.5 欧姆 @ 1A,0V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-268
封装/外壳 TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
 
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其它资源
标准包装 ? 30

04:50:14 1/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 30.00000 30.00
10 27.27600 272.76
25 25.23040 630.76
100 23.18440 2,318.44
250 21.13880 5,284.70
500 19.77496 9,887.48

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