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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXTH30N60L2-ND
现有数量 736
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXTH30N60L2

描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
扩展描述 N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXT(H,Q,T)30N60L2
特色产品 Linear L2™ MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 Linear L2™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 335nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 540W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 240 毫欧 @ 15A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
 
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其它资源
标准包装 ? 30
其它名称 622201

16:42:27 2/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 21.28000 21.28
10 19.34800 193.48
25 17.89680 447.42
100 16.44570 1,644.57
250 14.99464 3,748.66
500 14.02722 7,013.61
1,000 12.86635 12,866.35

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