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Digi-Key 零件编号 IXTH10P60-ND
现有数量 316
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXTH10P60

描述 MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
扩展描述 P-Channel 600V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
文档与媒体
数据列表 IXT(H,T)10P60
产品目录页面 1511 (SG092-10 PDF)
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制造商

IXYS

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 160nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 4700pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
 
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其它资源
标准包装 ? 30
其它名称 Q1152201

22:33:17 1/17/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 14.16000 14.16
10 12.74100 127.41
25 11.60880 290.22
100 10.47620 1,047.62
250 9.62676 2,406.69
500 8.77734 4,388.67
1,000 7.64478 7,644.78

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