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Digi-Key 零件编号 IXTA6N50D2-ND
现有数量 852
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXTA6N50D2

描述 MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
扩展描述 N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXT(A,P,H)6N50D2
特色产品 Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 96nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 3A,0V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-263(IXTA)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
 
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其它资源
标准包装 ? 50

13:46:48 2/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 9.60000 9.60
10 8.57300 85.73
25 7.71600 192.90
100 7.02970 702.97
250 6.34392 1,585.98
500 5.69238 2,846.19
1,000 4.80080 4,800.80
2,500 4.56076 11,401.89

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