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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXTA3N120CT-ND
现有数量 1,830
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXTA3N120TRL

描述 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
扩展描述 N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
文档与媒体
数据列表 IXT(A,P)3N120
产品目录页面 1512 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.5 欧姆 @ 1.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-263(IXTA)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 IXTA3N120CT

13:26:19 1/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 10.30000 10.30
10 9.19400 91.94
25 8.27520 206.88
100 7.53950 753.95
250 6.80400 1,701.00

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