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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXFX34N80-ND
现有数量 235
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXFX34N80

描述 MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
扩展描述 N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXF(K,X)34N80
产品目录页面 1512 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7500pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 560W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 240 毫欧 @ 17A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PLUS247™-3
封装/外壳 TO-247-3
 
其它资源
标准包装 ? 30

02:40:52 3/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 33.10000 33.10
10 30.09600 300.96
25 27.83840 695.96
100 25.58130 2,558.13
250 23.32412 5,831.03

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