添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 IXFX230N20T-ND
现有数量 1,423
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXFX230N20T

描述 MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247
扩展描述 N-Channel 200V 230A (Tc) 1670W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXFK,X230N20T Datasheet
特色产品 GigaMOS™ Power MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 GigaMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 230A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 378nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1670W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.5 毫欧 @ 60A,10V
工作温度 -
安装类型 通孔
供应商器件封装 PLUS247™-3
封装/外壳 TO-247-3
 
您可能还对以下元器件感兴趣
  • IXFK230N20T - IXYS | IXFK230N20T-ND DigiKey Electronics
  • IXFK230N20T
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 230A TO-264
  • 单价 30.31000
  • IXFK230N20T-ND
其它资源
标准包装 ? 30

16:01:33 2/24/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 29.87000 29.87
10 27.15000 271.50
25 25.11400 627.85
100 23.07750 2,307.75
250 21.04128 5,260.32
500 19.68374 9,841.87

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见