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Digi-Key 零件编号 IXFX120N65X2-ND
现有数量 476
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制造商

制造商零件编号

IXFX120N65X2

描述 MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
扩展描述 N-Channel 650V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXF(K,X)120N65X2
产品属性 选取全部项目
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制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 225nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 15500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1250W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 24 毫欧 @ 60A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PLUS247™-3
封装/外壳 TO-247-3
 
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其它资源
标准包装 ? 30

09:18:02 1/17/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 28.52000 28.52
10 25.92300 259.23
25 23.97880 599.47
100 22.03460 2,203.46
250 20.09036 5,022.59
500 18.79420 9,397.10

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