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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXFN38N100Q2-ND
现有数量 225
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXFN38N100Q2

描述 MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
扩展描述 N-Channel 1000V (1kV) 38A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXFN38N100Q2
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 890W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 250 毫欧 @ 19A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
 
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其它资源
标准包装 ? 10

04:03:47 2/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 79.47000 79.47
10 74.31800 743.18
25 68.73400 1,718.35
100 64.43790 6,443.79
250 60.14208 15,035.52

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