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Digi-Key 零件编号 IXFN360N10T-ND
现有数量 855
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXFN360N10T

描述 MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
扩展描述 N-Channel 100V 360A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
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数据列表 IXFN360N10T
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制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 505nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 36000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 830W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 180A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
 
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其它资源
标准包装 ? 10

06:26:41 1/18/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 33.02000 33.02
10 30.01300 300.13
25 27.76200 694.05
100 25.51090 2,551.09
250 23.25996 5,814.99
500 21.75930 10,879.65

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