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Digi-Key 零件编号 IXFN200N07-ND
现有数量 392
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXFN200N07

描述 MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
扩展描述 N-Channel 70V 200A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXFN200N06/7
产品目录页面 1512 (SG092-10 PDF)
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类别
制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 70V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 480nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9000pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 520W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
 
其它资源
标准包装 ? 10

05:29:44 3/28/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 42.37000 42.37
10 39.19700 391.97
25 36.01840 900.46
100 33.47620 3,347.62
250 30.72176 7,680.44
500 29.23868 14,619.34

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