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产品概览
Digi-Key 零件编号 IXFH6N100-ND
现有数量 219
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IXFH6N100

描述 MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
扩展描述 N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 IXF(H,M)6N90/100
产品目录页面 1511 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

IXYS

系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 180W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD(IXFH)
封装/外壳 TO-247-3
 
其它资源
标准包装 ? 30

19:06:50 2/20/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 14.00000 14.00
10 12.60000 126.00
25 11.47960 286.99
100 10.35980 1,035.98
250 9.51980 2,379.95
500 8.67982 4,339.91
1,000 7.55984 7,559.84

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