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产品概览
Digi-Key 零件编号 IRLML6402PBFCT-ND
现有数量 112,420
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IRLML6402TRPBF

描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
扩展描述 P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 19 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Infineon Technologies

系列 HEXFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 633pF @ 10V
Vgs(最大值) ±12V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Micro3™/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 *IRLML6402TRPBF
IRLML6402PBFCT

00:36:50 3/29/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.65000 0.65
10 0.49200 4.92
100 0.30600 30.60
500 0.20936 104.68
1,000 0.16102 161.02

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : IRLML6402PBFTR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 108,000 - 立即发货
  • 单价: 0.14071
  • Digi-Reel® ? : IRLML6402PBFDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 112,420 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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