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产品概览
Digi-Key 零件编号 IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND
现有数量 1,367
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IPD30N06S2L23ATMA3

描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
扩展描述 N-Channel 55V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
文档与媒体
数据列表 IPD30N06S2L-23
其它有关文件 Part Number Guide
特色产品 Data Processing Systems
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1091pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 100W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 23 毫欧 @ 22A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3-11
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 IPD30N06S2L23ATMA3CT

16:05:01 3/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.43000 1.43
10 1.26100 12.61
100 0.96720 96.72
500 0.76458 382.29
1,000 0.61165 611.65

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
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