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产品概览
Digi-Key 零件编号 IPD180N10N3 GCT-ND
现有数量 4,626
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制造商

制造商零件编号

IPD180N10N3 G

描述 MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 18 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1800pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 IPD180N10N3 GCT

22:50:13 12/10/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.34000 1.34
10 1.19500 11.95
100 0.93170 93.17
500 0.76960 384.80
1,000 0.60757 607.57

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : IPD180N10N3 GTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 2,500 - 立即发货
  • 单价: 0.55055
  • Digi-Reel® ? : IPD180N10N3 GDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 4,626 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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