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Digi-Key 零件编号 IPD034N06N3 GINCT-ND
现有数量 13,819
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IPD034N06N3 G

描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
扩展描述 N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 93µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11000pF @ 30V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 167W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 100A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 IPD034N06N3 GINCT

21:07:40 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.20000 2.20
10 1.97400 19.74
100 1.53970 153.97
500 1.27194 635.97
1,000 1.00418 1,004.18

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : IPD034N06N3 GINTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 12,500 - 立即发货
  • 单价: 0.90994
  • Digi-Reel® ? : IPD034N06N3 GINDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 13,819 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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