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产品概览
Digi-Key 零件编号 IPB65R660CFDCT-ND
现有数量 17,730
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IPB65R660CFD

描述 MOSFET N-CH 650V 6A TO263
扩展描述 N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 IPx65R660CFD
其它有关文件 Part Number Guide
特色产品 Data Processing Systems
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Infineon Technologies

系列 CoolMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 615pF @ 100V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 62.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 660 毫欧 @ 2.1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
 
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 IPB65R660CFDCT

18:52:57 3/28/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.42000 2.42
10 2.17500 21.75
100 1.74750 174.75
500 1.43572 717.86

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : IPB65R660CFDTR-ND
  • 最低订购数量: 1,000
  • 现有数量: 16,000 - 立即发货
  • 单价: 1.19478
  • Digi-Reel® ? : IPB65R660CFDDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 17,730 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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