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Digi-Key 零件编号 BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
现有数量 10,175
可立即发货
制造商

制造商零件编号

BSZ160N10NS3GATMA1

描述 MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
扩展描述 N-Channel 100V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 12µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 1700pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),63W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TSDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 BSZ160N10NS3 GINCT
BSZ160N10NS3 GINCT-ND
BSZ160N10NS3GATMA1CT

04:30:40 1/20/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.98000 1.98
10 1.76500 17.65
100 1.37650 137.65
500 1.13716 568.58
1,000 0.89774 897.74

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
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  • 最低订购数量: 5,000
  • 现有数量: 5,000 - 立即发货
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  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 10,175 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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