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产品概览
Digi-Key 零件编号 BSO615NGINCT-ND
现有数量 5,796
可立即发货
制造商

制造商零件编号

BSO615N G

描述 MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 BSO 615NG
PCN 封装 Dry Packing Box Update 24/Sep/2014
产品目录页面 1507 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商

Infineon Technologies

系列 SIPMOS®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 380pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 PG-DSO-8
 
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 BSO615NXTINCT
BSO615NXTINCT-ND

14:34:32 12/8/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.54000 1.54
10 1.38400 13.84
100 1.07880 107.88
500 0.89120 445.60
1,000 0.70359 703.59

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : BSO615NGINTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 5,000 - 立即发货
  • 单价: 0.63754
  • Digi-Reel® ? : BSO615NGINDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 5,796 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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