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产品概览
Digi-Key 零件编号 BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
现有数量 3,657
可立即发货
制造商

制造商零件编号

BSC160N10NS3GATMA1

描述 MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
扩展描述 N-Channel 100V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 BSC160N10NS3 G
其它有关文件 Part Number Guide
特色产品 Data Processing Systems
PCN 组件/产地 Assembly Site Add 20/Jun/2016
Assembly Site Update 26/Jul/2016
PCN 其它 Multiple Changes 09/Jul/2014
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 33A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND

12:20:24 3/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.40000 1.40
10 1.25200 12.52
100 0.97600 97.60
500 0.80634 403.17
1,000 0.63658 636.58

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
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