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产品概览
Digi-Key 零件编号 BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
现有数量 828
可立即发货
制造商

制造商零件编号

BSC160N10NS3GATMA1

描述 MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
扩展描述 N-Channel 100V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
产品属性 选取全部项目
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制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),42A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1700pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 33A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND

01:05:08 1/19/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.35000 1.35
10 1.21000 12.10
100 0.94290 94.29
500 0.77882 389.41
1,000 0.61487 614.87

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