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产品概览
Digi-Key 零件编号 BSC030P03NS3 GCT-ND
现有数量 1,845
可立即发货
制造商

制造商零件编号

BSC030P03NS3 G

描述 MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
扩展描述 P-Channel 30V 25.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 BSC030P03NS3 G
特色产品 Data Processing Systems
PCN 其它 Multiple Changes 09/Jul/2014
产品属性 选取全部项目
Categories
制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25.4A(Ta),100A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.1V @ 345µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 186nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 14000pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 50A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 BSC030P03NS3 GCT

09:21:38 1/19/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.34000 2.34
10 2.10300 21.03
100 1.69100 169.10
500 1.38930 694.65
1,000 1.15115 1,151.15

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : BSC030P03NS3 GTR-ND
  • 最低订购数量: 5,000
  • 现有数量: 0
  • 单价: 1.02512
  • Digi-Reel® ? : BSC030P03NS3 GDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 1,851 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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