添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 BSC016N03MSGATMA1CT-ND
现有数量 27,097
可立即发货
制造商

制造商零件编号

BSC016N03MSGATMA1

描述 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
扩展描述 N-Channel 30V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 BSC016N03MS G
其它有关文件 Part Number Guide
特色产品 Data Processing Systems
PCN 组件/产地 Assembly Site Add 20/Jun/2016
Assembly Site Update 26/Jul/2016
PCN 其它 Multiple Changes 09/Jul/2014
产品目录页面 1506 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 173nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 15V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.6 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC016N03MSGINCT
BSC016N03MSGINCT-ND

12:03:47 3/27/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.26000 2.26
10 2.02900 20.29
100 1.58190 158.19
500 1.30668 653.34
1,000 1.03160 1,031.60

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : BSC016N03MSGATMA1TR-ND
  • 最低订购数量: 5,000
  • 现有数量: 20,000 - 立即发货
  • 单价: 0.88805
  • Digi-Reel® ? : BSC016N03MSGATMA1DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 27,097 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
请发送您的反馈意见