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产品概览
Digi-Key 零件编号 BSC009NE2LSCT-ND
现有数量 8,040
可立即发货
制造商

制造商零件编号

BSC009NE2LS

描述 MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
扩展描述 N-Channel 25V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 BSC009NE2LS
特色产品 Data Processing Systems
PCN 设计/规格 OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 41A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 126nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5800pF @ 12V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),96W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 0.9 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 BSC009NE2LSCT

16:51:10 2/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.56000 2.56
10 2.29300 22.93
100 1.78870 178.87
500 1.47762 738.81
1,000 1.16654 1,166.54

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : BSC009NE2LSTR-ND
  • 最低订购数量: 5,000
  • 现有数量: 5,000 - 立即发货
  • 单价: 1.00420
  • Digi-Reel® ? : BSC009NE2LSDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 8,040 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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