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产品概览
Digi-Key 零件编号 BSB028N06NN3 GCT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

BSB028N06NN3 G

描述 MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 BSB028N06NN3 G
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Infineon Technologies

系列 OptiMOS™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 22A(Ta),90A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 102µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 143nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 12000pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-WDSON
供应商器件封装 MG-WDSON-2,CanPAK M™
 
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 BSB028N06NN3 GCT

14:45:54 12/10/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.49000 2.49
10 2.23200 22.32
100 1.79450 179.45
500 1.47438 737.19
1,000 1.22162 1,221.62

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : BSB028N06NN3 GTR-ND
  • 最低订购数量: 5,000
  • 现有数量: 0
  • 单价: 1.06335
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