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产品概览
Digi-Key 零件编号 RFD3055LE-ND
现有数量 8,048
可立即发货

厂方库存 ?: 30,600
制造商

制造商零件编号

RFD3055LE

描述 MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
扩展描述 N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 6 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V
Vgs(最大值) ±16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 38W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 107 毫欧 @ 8A,5V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251AA
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
 
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标准包装 ? 75

00:51:09 3/29/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.23000 1.23
10 1.07800 10.78
100 0.82650 82.65
500 0.65338 326.69
1,000 0.52270 522.70

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