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产品概览
Digi-Key 零件编号 FQU13N10LTU-ND
现有数量 4,539
可立即发货
制造商

制造商零件编号

FQU13N10LTU

描述 MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
扩展描述 N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-Pak
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 QFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),40W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-Pak
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
 
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标准包装 ? 70

19:32:56 3/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.09000 1.09
10 0.95500 9.55
100 0.73250 73.25
500 0.57912 289.56
1,000 0.46328 463.28

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