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产品概览
Digi-Key 零件编号 FQD2N80TMCT-ND
现有数量 30,537
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制造商

制造商零件编号

FQD2N80TM

描述 MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
扩展描述 N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
产品属性 选取全部项目
Categories
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 QFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 550pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.3 欧姆 @ 900mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 FQD2N80TMCT

03:29:58 1/19/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.49000 1.49
10 1.34200 13.42
100 1.04600 104.60
500 0.86408 432.04
1,000 0.68218 682.18

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : FQD2N80TMTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 27,500 - 立即发货
  • 单价: 0.61816
  • Digi-Reel® ? : FQD2N80TMDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 30,537 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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