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产品概览
Digi-Key 零件编号 FQD1N80TMCT-ND
现有数量 8,029
可立即发货
制造商

制造商零件编号

FQD1N80TM

描述 MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
扩展描述 N-Channel 800V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 6 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 QFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 FQD1N80TMCT

12:35:59 3/29/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.19000 1.19
10 1.05200 10.52
100 0.80640 80.64
500 0.63742 318.71
1,000 0.50994 509.94

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : FQD1N80TMTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 5,000 - 立即发货
  • 单价: 0.44867
  • Digi-Reel® ? : FQD1N80TMDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 8,029 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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