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Digi-Key 零件编号 FDU3N40TU-ND
现有数量 4,051
可立即发货
制造商

制造商零件编号

FDU3N40TU

描述 MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
扩展描述 N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 6 周
文档与媒体
数据列表 FDD3N40, FDU3N40
产品目录页面 1497 (SG092-10 PDF)
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制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 UniFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 225pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 30W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.4 欧姆 @ 1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 IPAK(TO-251)
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
 
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标准包装 ? 70

04:52:12 1/16/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.10000 1.10
10 0.96600 9.66
100 0.74060 74.06
500 0.58548 292.74
1,000 0.46838 468.38

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