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产品概览
Digi-Key 零件编号 FDT86113LZCT-ND
现有数量 5,195
可立即发货
制造商

制造商零件编号

FDT86113LZ

描述 MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
扩展描述 N-Channel 100V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体
数据列表 FDT86113LZ
MA04A Pkg Drawing
PCN 组件/产地 Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 PowerTrench®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.2W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 3.3A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223-4
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 FDT86113LZCT

00:58:22 3/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.26000 1.26
10 1.10700 11.07
100 0.84870 84.87
500 0.67096 335.48
1,000 0.53677 536.77

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : FDT86113LZTR-ND
  • 最低订购数量: 4,000
  • 现有数量: 4,000 - 立即发货
  • 单价: 0.47228
  • Digi-Reel® ? : FDT86113LZDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 5,195 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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