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产品概览
Digi-Key 零件编号 FDT439NCT-ND
现有数量 13,779
可立即发货
制造商

制造商零件编号

FDT439N

描述 MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 FDT439N
MA04A Pkg Drawing
PCN 组件/产地 Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016
产品目录页面 1494 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

ON Semiconductor/Fairchild

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 6.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 500pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223-4
 
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标准包装 ? 1
其它名称 FDT439NCT

08:52:23 12/10/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.10000 1.10
10 0.96100 9.61
100 0.73460 73.46
500 0.58198 290.99
1,000 0.46614 466.14

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : FDT439NTR-ND
  • 最低订购数量: 4,000
  • 现有数量: 12,000 - 立即发货
  • 单价: 0.40964
  • Digi-Reel® ? : FDT439NDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 13,779 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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