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产品概览
Digi-Key 零件编号 FDS4435BZCT-ND
现有数量 18,164
可立即发货
制造商

制造商零件编号

FDS4435BZ

描述 MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
扩展描述 P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体
数据列表 FDS4435BZ
PCN 设计/规格 Mold Compound 12/Dec/2007
PCN 组件/产地 Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1493 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 PowerTrench®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1845pF @ 15V
Vgs(最大值) ±25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 8.8A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 FDS4435BZCT

09:14:34 2/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.15000 1.15
10 1.01000 10.10
100 0.77470 77.47
500 0.61244 306.22
1,000 0.48994 489.94

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : FDS4435BZTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 17,500 - 立即发货
  • 单价: 0.43108
  • Digi-Reel® ? : FDS4435BZDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 18,164 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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