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产品概览
Digi-Key 零件编号 FDMS86200CT-ND
现有数量 64,649
可立即发货
制造商

制造商零件编号

FDMS86200

描述 MOSFET N-CH 150V POWER56
扩展描述 N-Channel 150V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount Power56
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 18 周
文档与媒体
数据列表 FDMS86200
特色产品 Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 PowerTrench®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.6A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2715pF @ 75V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),104W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 18 毫欧 @ 9.6A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Power56
封装/外壳 8-PowerTDFN
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 FDMS86200CT

12:24:17 2/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 3.35000 3.35
10 3.00600 30.06
100 2.41570 241.57
500 1.98474 992.37
1,000 1.64449 1,644.49

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : FDMS86200TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 63,000 - 立即发货
  • 单价: 1.48649
  • Digi-Reel® ? : FDMS86200DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 64,649 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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