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产品概览
Digi-Key 零件编号 FDA59N30-ND
现有数量 1,073
可立即发货
制造商

制造商零件编号

FDA59N30

描述 MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
扩展描述 N-Channel 300V 59A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 6 周
文档与媒体
数据列表 FDA59N30
PCN 设计/规格 Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
PCN 组件/产地 Wafer Fabrication 04/Feb/2013
PCN 封装 Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Fairchild/ON Semiconductor

系列 UniFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4670pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 56 毫欧 @ 29.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PN
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
 
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标准包装 ? 30

03:19:45 2/20/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 6.18000 6.18
10 5.54500 55.45
100 4.54360 454.36
500 3.86794 1,933.97
1,000 3.26212 3,262.12

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