添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 VN10LP-ND
现有数量 1,297
可立即发货
制造商

制造商零件编号

VN10LP

描述 MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
扩展描述 N-Channel 60V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
文档与媒体
数据列表 VN10LPSTZ
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
EDA / CAD 模型 ? 从 Accelerated Designs 下载
产品目录页面 1380 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
Categories
制造商

Diodes Incorporated

系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 270mA(Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 60pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 4,000
其它名称 FVN10LP

15:46:26 1/17/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.01000 1.01
10 0.88200 8.82
100 0.67650 67.65
500 0.53482 267.41
1,000 0.42786 427.86

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见