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产品概览
Digi-Key 零件编号 CMF20120D-ND
现有数量 1,783
可立即发货
制造商

制造商零件编号

CMF20120D

描述 MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
扩展描述 N-Channel 1200V (1.2kV) 42A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
文档与媒体
数据列表 CMF20120D
应用说明 SiC MOSFET Isolated Gate Driver
产品培训模块 1200V SiC Mosfet Overview
视频文件 Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Cree/Wolfspeed

系列 Z-FET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 上次购买时间
FET 类型 N 沟道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 90.8nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1915pF @ 800V
Vgs(最大值) +25V,-5V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 215W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 110 毫欧 @ 20A,20V
工作温度 -55°C ~ 135°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
 
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标准包装 ? 30

06:28:16 2/28/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 52.43000 52.43
100 50.41470 5,041.47

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