添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 CMF10120D-ND
现有数量 438
可立即发货
制造商

制造商零件编号

CMF10120D

描述 MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
扩展描述 N-Channel 1200V (1.2kV) 24A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 8 周
文档与媒体
数据列表 CMF10120D
应用说明 SiC MOSFET Isolated Gate Driver
产品属性 选取全部项目
Categories
制造商

Cree/Wolfspeed

系列 Z-FET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 47.1nC @ 20V
Vgs (Max) +25V,-5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 928pF @ 800V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 134W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 220 毫欧 @ 10A,20V
工作温度 -55°C ~ 135°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
 
您可能还对以下元器件感兴趣
  • IXFH80N65X2 - IXYS | IXFH80N65X2-ND DigiKey Electronics
  • IXFH80N65X2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
  • 单价 17.46000
  • IXFH80N65X2-ND
其它资源
标准包装 ? 30

20:56:32 1/18/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 26.22000 26.22
100 25.21520 2,521.52
500 24.57812 12,289.06

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见